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電子関連装置(スパッタリング&イオンプレート)
■ R&D用スパッタ装置
ー 不定形な基板への薄膜形成に最適 ー
概要
本装置は不定形な基板上に薄膜を形成するためのスパッタリング装置です。
バッチ式でマグネトロンカソードを搭載し、スパッタダウンもしくはスパッタアップどちらかを選択可能です。また、逆スパッタ機構による基板クリーニングも可能です。
スパッタ電源として、DC電源、RF電源など切替えにて使用可能です。
特長・オプション等
1.
切替えにて逆スパッタ(RF)が可能です。
2.
手動にて、T/S140㎜から200㎜まで可変可能です。
3.
各カソードごとにパラメーター設定可能とし、4式同時成膜が行えます。
4.
φ8インチ×1tの石英基板に対応した加熱機構が取付け可能です。(基板表面MAX600℃)
用途・応用例
各種実験用途
小ロット生産対応
ウェハー、フィルム、金型など柔軟な基板対応
概略仕様
処理方式
バッチ式
排気ポンプ
DRP+TMP
設置寸法
W3,600㎜ × D2,500㎜ × H2,100㎜
装置重量
2,000 kg
電源容量
AC200V(3φ) / 36kVA(103A)
真空槽サイズ
φ750㎜ × H340㎜
※本仕様・構成は予告なく変更する事がございますので、ご了承下さい。
※本製品は、外国為替並びに外国貿易管理法の規定により、戦略物資等輸出規制品に該当する場合があります。従って、日本国外に該当品を持ち出す際は、日本国政府への輸出許可申請等、必要な手続きをお取りください。
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