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研发方针 Thoughts On Research And Development

为了在真空技术应用设备领域始终发挥独创性，我们致力开展技术革新和研发活动。另外，为了确保客户安心方便地使用设备，通过在设备中采用新一代传感技术等，以设备实现最佳运行状态的服务为目的而开展研发工作。

研发体制 Research And Development System

技术开发部门

针对市场需求的研发

要素技术开发

设备开发

工序开发

组建任务组式的项目团队，
为快速应对市场需求而推进研发活动。

离子源开发 Ion Source Development

离子源的工作原理和概念

真空镀膜设备上搭载的主要离子源，根据静电加速方式，大致分为栅格型和无栅型两大类。
离子源由①离子生成(Ionization)、②离子加速(Acceleration)、③离子中和(Neutralization)这三个区域构成。需根据镀膜用途选择真空设备上搭载的离子源。

栅格型离子源
Gridded Ion Source

无栅型离子源
Gridless Ion Source

栅格型离子源

栅格型离子源的离子生成方式大致分为直流放电型、高频感应放电型、微波放电型三大类。
生成的离子向2片或3片构成的多孔状电极施加高电压并加速。
昭和真空拥有直流放电型（考夫曼型）和高频感应放电型的离子源产品阵容。

栅格型离子源

引用来源：渡边裕树　竹原春贵（首都大学东京）《离子发动机的工作原理和搭载情况》(Space Japan Review, No. 70, October / November 2010)

IGF系列【栅格型离子源（直流放电型）】

IGF系列搭载在执行微细加工的离子束蚀刻设备上。
从生成的等离子提取离子，使其加速撞击在加工材料上，进行微细加工。
应用于晶圆表面平整化和消除凹凸的修整以及水晶谐振器和SAW滤波器的频率微调。

ISG系列【栅格型离子源（高频感应放电型）】

ISG系列搭载在离子辅助蒸镀（IAD：Ion Assisted Deposition）设备上。
向工件照射离子束，同时进行蒸镀，可形成致密（高密度）的薄膜。
在器件的小型化、薄型化进程中，用于调整薄膜密度。
从滤光片的无移位膜到树脂基板的贴合性改善，在各种用途中得到了广泛应用。

ISG系列

无栅型离子源

昭和真空开发的无栅型离子源是霍尔加速型离子源，其特性介于端部霍尔型与栅格型之间。

与栅格型离子源一样，是采用静电加速方式的离子源。
霍尔加速型采用磁场与电场交叉的设计，由此捕获阴极源发射的电子，将引入的气体电离并生成离子。离子通过阳极电势加速并以离子束的形式发射。发射的离子束被阴极源发射的电子中和。
与栅格型的主要不同是在于离子生成与加速是同时进行的。
这一技术在真空镀膜设备中很早开始就得到了运用。