スパッタリング装置Sputtering Equipment

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二種類の膜を片面ずつ成膜可能な
スパッタリング装置

基板反転機構を利用し両面成膜機構を採用した小型カルーセル式スパッタリング装置です。
間欠成膜なので低温成膜が可能です。130℃以下で低温成膜が可能になることによりCrの拡散防止対策などにも有効です。

用途・応用例

各種電子部品への電極用金属膜の形成

特長

  1. 1. 外形:W1,280mm×D1,150mm×H2,250mm
  2. 2. 通過型SPH-2500T-Ⅱで解消できずにいた熱の問題はスパッタ中での温度上昇を抑制することにより低温成膜を実現
  3. 3. 基板回転・反転機構はマグネットによる非接触動力伝達方式(マグトラン®)を採用
    ※マグトラン®は㈱エフ・イー・シーの登録商標です。
  4. 4. パワー変調機能(回転方向の膜厚分布調整用)(オプション)
  5. 5. カソード(3源目) (オプション)

装置構成

カソード 5インチ×7インチ 2式
基板トレイ Forφ4:トレイW120mm×L200mm
成膜有効範囲 Forφ4:トレイ W100mm
軸数 φ4用:12軸
ウエハ枚数 φ4用:12枚

仕様

排気ポンプ RP+CRYO
設置寸法 W1,280mm×D1,150mm×H2,250mm
重量 1,500kg
電源容量 AC200~220V/17kVA(50A)
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