真空蒸着装置
SEC-22C
金属蒸着のスタンダードモデル
φ４インチ及びφ６インチウエハに対して電極膜及び酸化膜の成膜が可能です。蒸着物のウエハへの入射角が垂直になるよう構成されている為、リフトオフ工程にも対応できます。
用途・応用例
各種電子部品の電極膜形成、リフトオフ工程に対応した電極形成、保護膜用途などの酸化膜形成
特長・オプション
- 1. 高速排気 4.0×10-4Paまで20min
- 2. 膜厚分布±1.0%以下（φ4インチウエハ面内）
- 3. リフトオフ用途に適した蒸着材料の垂直入射が可能 T/S1,100㎜時、入射角≦5度（φ6インチ）
- 4. 基板ドーム内の入射角をより安定させるため高精度ドームを採用
- 5. 低温蒸着プロセスによりレジストパターンへダメージを軽減した成膜が可能
- 6. 補正板を4式搭載しており4材料の膜厚分布調整が可能
- 7. Al蒸着のハイレート化を実現（当社従来比で3倍）
- 8. レシピ設定管理・ログの取得が可能
- 9. 防着板は最小限の交換作業でメンテナンス可能な構造を採用
- 10. イオンソース搭載(オプション)により、成膜前のクリーニング処理が可能。自然酸化膜の除去、有機物の除去、表面改質などに効果的
- 11. イオンソース搭載(オプション)により成膜中のアシスト蒸着が可能
密着力の改善、応力コントロール、膜質コントロールなどに効果的
オプション
基板クリーニング機構搭載〔イオンソース、ボンバード〕、基板冷却機構、プラネタリー治具、T/S＝900mm
仕様
| 排気ポンプ | CRYO＋DRP＋MBP |
|---|---|
| 設置寸法 | W2,500mm×D4,300mm×H2,800mm |
| 装置重量 | 3,100kg |
| 電源容量 | 本体：200V(Φ3)／約40kVA(115A) 蒸発源：200V(Φ3)／約25kVA(73A) |