ALD装置Atomic Layer Deposition Equipment

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複雑な形状の基板への成膜に最適

ALD（Atomic Layer Deposition）法は従来のCVD,PVDに比べ「ピンホールフリー」、「段差被覆性」、「精密な膜厚制御性」、「膜厚バラツキが小さい」といった優位性が有ります。また、プラズマを使用するPE-ALDでは低温成膜が可能となり、プラスチックのように熱的に脆い材料にも適用可能です。
■対応膜種：SiO2，TiO2，Al2O3

用途・応用例

高曲率レンズへの光学コーティング、絶縁目的の誘電体コーティング、各種デバイスのガス透過バリア、複雑な形状の基板への成膜

ALDの原理

特長

  1. 1. 単原子層ずつ成膜するため、膜厚制御性に優れている
  2. 2. 高アスペクト比の基板に対しても付き回りよく成膜することが可能
  3. 3. 低温成膜が可能（RT～120℃）
  4. 4. 基板面内分布に優れている
  5. 5. φ8インチ基板 24枚一括処理
  6. 6. 基板回転機構

仕様

排気ポンプ TMP＋DRP
設置寸法 W3,200mm×D3,200×H2,600mm
重量 1,200kg
電源容量 AC200V(3Φ)／39.5kVA(114A)
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