플라즈마 클리너
SPE-2136A
φ6인치 웨이퍼 2장 동시 처리로
높은 생산성 실현
본 장비는 φ4~φ6인치 웨이퍼에 대해 Descum, 표면 개질, 애싱 처리가 가능합니다.
또한 자동 반송 메커니즘이 탑재되어 웨이퍼 파손 방지 및 반송 작업 시간・비용 절감에 기여합니다. 게다가 프로세스 챔버는 웨이퍼 2장 동시 처리로 높은 생산성을 실현합니다.
장비 본체 크기는 W1,400mm×D2,000mm로 컴팩트한 설계입니다.
용도・응용 예시
데스컴・표면 개질・애싱 처리
각종 웨이퍼(전자 부품)의 레지스트 제거, 후공정 도금 전 표면 개질, 유기 오염 제거, 수지 재료의 표면 개질, SAW 디바이스 등의 초박형 압전 웨이퍼 대응
특징
- 1. C to C 방식
- 2. 높은 Throughput
- 3. 분포: 웨이퍼 내 ±10% 이하 (Si 기판 기준)
- 4. 2장 동시 처리, 저온 처리
- 5. Ar 플라즈마 클리닝 (옵션)
- 6. 이오나이저에 의한 정전기 대책 (옵션)
사양
| 배기 펌프 | DRP×1 |
|---|---|
| 설치 면적 | 본체 W1,340mm×D1,945mm×H1,870mm |
| 중 량 | 약 1,100kg |
| 전원 용량 | AC200～220V(3φ)／50/60Hz／14.3kVA |