내 플라즈마막용 증착 장치
SEC-S1300i
내부식성이 뛰어난 Y₂O₃ 후막을 성막하여,
쉴드막(보호막) 형성이 가능합니다.
내플라즈마(Y₂O₃막)막의 후막 증착이 가능합니다.
이온 어시스트 증착(IAD: Ion Assisted Deposition)을 통해 충진 밀도가 높고, 치밀하고 견고하며 내부식성이 우수한 Y₂O₃막을 형성할 수 있습니다.
용도・응용 예
반도체용 드라이 에처 및
CVD 장치의 내부 부품에 쉴드막 코팅에 적용
특징
- 1. 후막 증착
- 2. RF 이온 소스
옵션
이온 플레이팅, 이원 동시 증착, 자공전 지그, 다면체 돔
사양
| 배기 펌프 | DP＋RP＋MBP(마이스너 트랩 / Meissner Trap) |
|---|---|
| 설치 면적 | W4,500mm×D3,900mm×H2,720mm |
| 중 량 | 約4,500kg |
| 전원 용량 | AC200～220V(φ3)／95kVA(275A) |