진공 증착 장비
SEC-22C
금속 증착의 표준 모델
φ4인치 및 φ6인치 웨이퍼에 대해 전극막 및 산화막의 증착이 가능합니다. 증착물이 웨이퍼에 수직으로 입사되도록 구성되어 있어 LIFT OFF 공정에도 대응할 수 있습니다.
용도・응용 예
각종 전자 부품의 전극막 형성, LIFT OFF 공정에 대응한 전극 형성, 보호막 용도등의 산화막 형성
특징・옵션
- 1. 고속 배기: 4.0×10-4Pa까지 20분
- 2. 막 두께 분포: ±1.0% 이하 (φ4인치 웨이퍼 면 내)
- 3. LIFT OFF 용도에 적합한 증착 재료의 수직 입사 가능T/S1,100㎜ 시, 입사각 ≤5도 (φ6인치)
- 4. 기판 돔 내 입사각을 더욱 안정시키기 위한 고정도 돔 채용
- 5. 저온 증착 공정으로 레지스트 패턴에 손상을 경감한 막 형성이 가능
- 6. 보정판 4 Set 탑재로하여 4가지 재료의 막 두께 분포 조정이 가능
- 7. Al 증착의 고속화 실현 (자사 기존 대비 3배)
- 8. 레시피 설정 관리 및 로그 취득 가능
- 9. 방착판은 최소한의 교환 작업으로 유지보수 가능한 구조 채택
- 10. 이온 소스 탑재(옵션)로 증착 전 클리닝 처리 가능. 자연 산화막 제거, 유기물 제거, 표면 개질 등에 효과적
- 11. 이온 소스 탑재(옵션)로 증착 중 어시스트 증착 가능. 밀착력 개선, 응력 제어, 막질 제어 등에 효과적
옵션
기판 클리닝 기구 탑재〔RF ION SOURCE, RF BOMBARD〕, 기판 냉각기구, PLANETARY JIG, T/S = 900 mm
사양
| 배기 펌프 | CRYO＋DRP＋MBP |
|---|---|
| 설치 면적 | W2,500mm×D4,300mm×H2,800mm |
| 장치 중량 | 3,100kg |
| 전원 용량 | 본체:200V(Φ3)／약40kVA(115A) 증발원:200V(Φ3)／약25kVA(73A) |