ALD 장치Atomic Layer Deposition Equipment

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복잡한 형상의 기판에 대한 성막에 최적

ALD(Atomic Layer Deposition) 방식은 기존의 CVD, PVD 방식에 비해 「핀홀 프리」, 「단차 피복성(Step Coverage)」, 「정밀한 막 두께 제어성」, 「막 두께 편차가 작음」 등의 우위성이 있습니다. 또, 플라즈마를 사용하는 PE-ALD에서는 저온 성막이 가능하여, 플라스틱처럼 열에 약한 재료에도 적용 가능합니다.
■ 대응 막종:SiO2，TiO2，Al2O3

용도・응용 예

고곡률 렌즈의 광학 코팅, 절연 목적의 유전체 코팅, 각종 디바이스의 가스 투과 방지막, 복잡한 형상의 기판에 대한 성막

ALD의 원리

특징

  1. 1. 단원자층 씩 성막되므로 막 두께 제어성이 뛰어남
  2. 2. 높은 아스펙트비(Aspect Ratio) 기판에 대해서도 균일하게 성막 가능
  3. 3. 저온 성막 가능(RT~120℃)
  4. 4. 기판 면내 분포 균일성 우수
  5. 5. φ8인치 기판(Wafer) 24장 동시 처리 가능
  6. 6. 기판 회전 기구

사양

배기 펌프 TMP＋DRP
설치 면적 W3,200mm×D3,200×H2,600mm
중 량 1,200kg
전원 용량 AC200V(3Φ)／39.5kVA(114A)
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