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水晶デバイス装置
■ ロードロック式カルーセル型スパッタリング装置 SPC-1200W
【特徴】
1.
W1280mm×L1150mm×H1873mmと非常にコンパクトな装置です。
2.
膜厚分布向上を図り、マスク(100L×55H) 内±1.0以下を実現しました。
3.
スパッタ室は常時真空保持されており、良質な膜質が得られます。
4.
トレイを12枚収納可能なマガジンを搭載しております。
5.
基板昇降機構及び基板回転機構、基板反転機構において、マグネットによる非接触動力伝達方式(マグトラン)を採用し、ダストフリー、メンテナンスフリーを実現しました。
【用途】
小型電子部品電極膜 及び 酸化膜形成用
【仕様】
膜厚分布 ※1
(1) トレイ内分布 ±1.0%
(2) バッチ内分布 ±1.5%
(3) バッチ間分布 ±1.5%
成膜速度
35nm/min (Agターゲット、300W×2の時)
ターゲット
2インチ×7インチ デュアルマグネトロンカソード2式
スパッタ方式
サイドスパッタ方式
スパッタ電源
DC 1KW
到達圧力
1.0×10
-3
Pa以下 (全室排気)
排気時間
(1) L/D室 1.0×10
1
Paまで2分以内 (Ⅳ開まで3分以内)
(2) 全室 3.0×10
-2
Paまで10分以内
基板加熱温度 ※2
MAX150℃
基板回転速度
10rpm (加熱時) 60rpm (成膜時)
操作系
自動/手動
真空槽
L/D室 W270mm×L600mm×H450mm
スパッタ室 W500mm×L750mm×H450mm
マスク外形寸法
L140mm×W80mm
基板加熱ヒーター
ハロゲンヒーター使用
トレイストッカー
12枚
主ポンプ
スパッタ室 8インチターボ分子ポンプ
ガス導入系
MFC 1式
【所要諸元】
冷却水
入圧：0.3～0.4MPa 差圧：0.2MPa 以上
水温：20～25℃ (但し、運転中結露無き事) 流量：2.22m
3
/h (37/min)
電力
200V3φ 18KVA (51A)
圧縮空気
0.5～0.7MPa 設定圧：0.5MPa
設置面積
W1280mm×L1150mm×H1873mm
重量
約 1500㎏
N2ガス
供給圧力：0.2MPa 以上 設定圧力 0.15MPa
Arガス
供給圧力：0.05MPa 以上 設定圧力 0.03MPa
※本仕様・構成は予告なく変更する事がございますので、ご了承下さい。
※本製品は、外国為替並びに外国貿易管理法の規定により、戦略物資等輸出規制品に該当する場合があります。従って、日本国外に該当品を持ち出す際は、日本国政府への輸出許可申請等、必要な手続きをお取りください。
IQJ07501-0808
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■ ロードロック式カルーセル型スパッタリング装置
SPC-1200W
