 ■ 複雑な形状の基板への成膜に最適
ガスバリア性に優れた薄膜が得られます |
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ALD(Atomic Layer Deposition)とは原子層堆積法という単原子層を 1サイクルで成膜する手法で、サイクルを繰り返すことにより薄膜を形成します。
－原子層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能となり、高品質かつ段差被覆性の高い薄膜を形成することが可能です。
対応膜種： SiO2 TiO2 Al2O3
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 【概要】
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φ4 インチ基板 25枚一括処理 |
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基板回転機構 |
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基板加熱：25 ～ 120 °C |
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【特徴】
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単原子層ずつ成膜するため、膜厚制御性に優れている |
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高アスペクト比の基板に対しても付き回りよく成膜することが可能
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基板温度を抑え成膜することが可能 |
| 4. |
基板面内分布に優れている
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【主な用途・応用例】
| 1. |
LED（色度調整, Ag硫化防止膜） |
| 2. |
電子デバイス（絶縁膜, バリアメタル） |
| 3. |
ガスバリア膜, 水蒸気バリア膜 |
| 4. |
複雑な形状の基板への成膜 |
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