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真空蒸着装置 SEC-22C

多機能型・真空蒸着装置 SEC-22C

金属薄膜用蒸着装置のスタンダードモデル

φ4インチ及びφ6インチウェハーに対して電極膜及び酸化膜の成膜が可能です。リフトオフ工程にも対応可能なよう蒸着材料の入射角が垂直になるよう構成されています。また基板ドーム内の入射角をより安定させるため高精度ドームを採用しています。

特長
  • 高速排気 4.0×10-4Paまで20分
  • 膜厚分布±1.0%以下を実現(φ4インチウェハ面内)
  • リフトオフ用途に適した蒸着材料の垂直入射が可能です。(入射角±5度(φ6インチ))
  • 低温蒸着プロセスによりレジストパターンへダメージレスで成膜可能
  • 補正板を4式搭載しており、4材料の膜厚分布調整が可能です。
  • Al蒸着のハイレート化を実現。(当社従来比で3倍)
  • Au-Sn半田などの厚膜プロセスにも対応
  • レシピ設定管理・ロギングの取得が可能です。
  • 防着板は最小限の交換作業でメンテナンス可能な構造を採用しています。
  • イオンソース搭載(オプション)により、成膜前のクリーニング処理が可能
    自然酸化膜の除去、有機物の除去、表面改質などに効果的
  • イオンソース搭載(オプション)により、成膜中のアシスト蒸着が可能
    密着力の改善、応力コントロール、膜質コントロールなどに効果的
オプション等
基板クリーニング機構搭載
  • イオンソース
  • ボンバード
基板冷却機構(冷却ドーム)
プラネタリー治具(自公転基板治具)
  • T/S=700mm、900mm
用途・応用例
  • 各種電子部品の電極膜形成
  • リフトオフ工程に対応した電極形成
  • 保護膜用途などの酸化膜形成
装置構成
排気系 クライオポンプ、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ
真空槽 W800mm×D800mm×H1300mm、SUS304製
フットプリント W2500mm×D4300mm×H2800mm
所要電力 本体 Φ3 200V 約40KVA(115A)
蒸発源 Φ3 200V 約25KVA(73A)
※本仕様・構成は予告なく変更する事がございますので、ご了承下さい。
※本製品は、外国為替並びに外国貿易管理法の規定により、戦略物資等輸出規制品に該当する場合があります。従って、日本国外に該当品を持ち出す際は、日本国政府への輸出許可申請等、必要な手続きをお取りください。


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